Pārnēsājamās jaudas bankas (pazīstamas arī kā portatīvie lādētāji) tiek plaši izmantotas dažādām elektroniskām ierīcēm.Sagaidāms, ka, attīstoties akumulatoru tehnoloģijām, nākotnes enerģijas bankas būs vieglākas, tām būs lielāka ietilpība un tās piedāvās ātrāku uzlādes ātrumu.Viedās funkcijas un daudzfunkcionalitāte būs arī galvenās attīstības jomas, lai apmierinātu pieaugošo pieprasījumu pēc mobilajiem enerģijas risinājumiem.
![WINSOK vidējā un zemsprieguma MOSFET tiek izmantoti mobilajos barošanas blokos](http://www.olukey.com/uploads/WINSOK-medium-and-low-voltage-MOSFETs-are-used-in-mobile-power-supplies.jpg)
Pārnēsājamo barošanas bloku MOSFET (pārnēsājamie lādētāji) saskaras ar problēmām saistībā ar efektivitāti un izturību.Galvenās problēmas ir elektroenerģijas zudumi, nepietiekama siltuma pārvaldība un uzticamības problēmas lielās slodzēs, kas ierobežo barošanas banku veiktspēju un kalpošanas laiku.WINSOKMOSFET var palīdzēt atrisināt iepriekš minētās problēmas.
WINSOK vidēja un zema sprieguma MOSFET lietojumprogrammas mobilajos barošanas blokos, galvenie lietojumu modeļi:
Daļas numurs | Konfigurācija | Tips | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (IESLĒGTS) (mΩ) | Ciss | Iepakojums | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Maks. | Min. | Tip. | Maks. | Tip. | Maks. | (pF) | ||||
Viens | N-Ch | 30 | 5.6 | 0.5 | 0.8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
Viens | N-Ch | 20 | 5.9 | 0.3 | 0.5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
Viens | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
Viens | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000. gads | SOT-23-3L | |
Viens | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
Viens | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Viens | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0.5 | 0.7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
Viens | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050. gads | SOP-8 | |
Viens | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550. gads | SOP-8 | |
Dual | P-Ch | -20 | -5.8 | -0,6 | -1.1 | -1.7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
Viens | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1.6 | -2.5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | TO-252 |
Citi zīmola materiālu numuri, kas atbilst iepriekšminētajam WINSOK MOSFET, ir:
Atbilstošie WINSOK MOSFET WST3400S materiālu numuri ir:AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Iekļautas diodes ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,ZXMC3AMCDpower1. 14NSA.Potens Semiconductor PDN3643.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WST2316 materiālu numuri ir: AOS AO3420. Potens Semiconductor PDN2318S.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WST3408 materiālu numuri ir:AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336VVHperisHperix5STRN5. BA SSM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Iekļautas diodes ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens pusvadītājs PDN3612S.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WST2339 materiālu numuri ir: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21HDSSMAY3J. SM2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WST3409 materiālu numuri ir:AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSEMictor0Poten1 9S.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 materiālu numuri ir: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP4406 materiālu numuri ir: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD B NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics.STMicroelectronics HIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP9926 materiālu numuri ir: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY. Potens Semiconductor PDS3808.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP9926A materiālu numuri ir:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSODSMSPOten2. 10.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP4435 materiālu numuri ir: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, FAIRCH64B803A, FAIRCH64B801. Z,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP4407 materiālu numuri ir: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS6, 300 000 000 000 000 00 (4407) H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP4953A materiālu numuri ir: AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPFJA20LHR8. L9801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Iekļautas diodes ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSP4606 materiālu numuri ir: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL96201powerKsmNiO s Semiconductor PDS3710.
Atbilstošie WINSOK MOSFET WSF70P03 materiālu numuri ir: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics TD37P3H6AGHIITTANJJ4. 70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Izlikšanas laiks: 2023. gada 24. novembris