WSD100N15DN56G N-kanāls 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Daļas numurs:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6 mΩ

Kanāls:N-kanāls

Iepakojums:DFN5X6-8

Nosūtiet mums e-pastu PDF

Produkta informācija

WSD100N15DN56G MOSFET spriegums ir 150V, strāva ir 100A, pretestība ir 6mΩ, kanāls ir N-kanāls un pakete ir DFN5X6-8.

Medicīnas barošanas avoti MOSFET, PD MOSFET, droni MOSFET, elektroniskās cigaretes MOSFET, galvenās ierīces MOSFET un elektroinstrumenti MOSFET.

Simbols	Parametrs	Vērtējums	Vienības
VDS	Drenāžas avota spriegums	150	V
VGS	Vārtu avota spriegums	±20	V
ID	Nepārtraukta drenāžas strāva, V_GS@ 10V (T_C=25℃)	100	A
IDM	Impulsa drenāžas strāva	360	A
EAS	Viena impulsa lavīnas enerģija	400	mJ
P_D	Kopējā jaudas izkliede..._C=25℃)	160	W
RθJA	Termiskā pretestība, krustojums-apkārtējā	62	℃/W
RθJC	Termiskā pretestība, savienojuma korpuss	0,78	℃/W
TSTG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-55 līdz 175	℃
T_J	Darba krustojuma temperatūras diapazons	-55 līdz 175	℃

Simbols	Parametrs	Nosacījumi	Min.	Tip.	Maks.	Vienība
BV_DSS	Drenāžas avota sadalījuma spriegums	V_GS= 0 V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (IESLĒGTS)	Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Vārtu sliekšņa spriegums	V_GS=V_DS, es_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Drenāžas avota noplūdes strāva	V_DS=100V, V_GS= 0 V, T_J= 25℃	---	---	1	uA
IGSS	Vārtu avota noplūdes strāva	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Kopējā vārtu maksa	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Vārtu avota maksa		---	26	---
Q_gd	Vārtu kanalizācijas maksa		---	18	---
Td (ieslēgts)	Ieslēgšanas aizkaves laiks	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Augšanas laiks		---	98	---
Td (izslēgts)	Izslēgšanās aizkaves laiks		---	55	---
T_f	Rudens laiks		---	20	---
C_iss	Ievades kapacitāte	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Izejas kapacitāte		---	1730. gads	---
C_rss	Reversās pārsūtīšanas kapacitāte		---	195	---