WSD2090DN56 N-kanāls 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

īss apraksts:

Modeļa numurs:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2,8 mΩ

ID:80A

Kanāls:N-kanāls

Iepakojums:DFN5*6-8

Vasarīgs produkts:WSD2090DN56 MOSFET spriegums ir 20 V, strāva ir 80 A, pretestība ir 2,8 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5*6-8.

Lietojumprogrammas:Elektroniskās cigaretes, droni, elektroinstrumenti, fasādes pistoles, PD, mazā sadzīves tehnika utt.

Nosūtiet mums e-pastu PDF

Produkta informācija

Pieteikums

Produktu etiķetes

Vispārīgs apraksts

WSD2090DN56 ir augstākās veiktspējas tranšejas N-Ch MOSFET ar ārkārtīgi augstu šūnu blīvumu, kas nodrošina izcilu RDSON un vārtu lādiņu lielākajai daļai sinhrono buck pārveidotāju lietojumprogrammu. WSD2090DN56 atbilst RoHS un zaļā produkta prasībām, 100% EAS garantēta ar apstiprinātu pilnu funkciju uzticamību.

Funkcijas

Uzlabota augsta šūnu blīvuma tranšeju tehnoloģija, īpaši zema vārtu uzlāde, izcils CdV / dt efekta samazinājums, 100% EAS garantija, pieejama zaļā ierīce

Lietojumprogrammas

Slēdzis, barošanas sistēma, slodzes slēdzis, elektroniskās cigaretes, droni, elektroinstrumenti, fasādes pistoles, PD, maza sadzīves tehnika utt.

atbilstošs materiāla numurs

AOS AON6572

Svarīgi parametri

Absolūti maksimālie vērtējumi (TC=25℃, ja nav norādīts citādi)

Simbols	Parametrs	Maks.	Vienības
VDSS	Drenāžas avota spriegums	20	V
VGSS	Vārtu avota spriegums	±12	V
ID@TC=25℃	Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Impulsa drenāžas strāvas piezīme1	360	A
EAS	Viena impulsa lavīnas enerģijas piezīme2	110	mJ
PD	Jaudas izkliede	81	W
RθJA	Termiskā pretestība, savienojums ar korpusu	65	℃/W
RθJC	Termiskās pretestības savienojuma korpuss 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Darbības un uzglabāšanas temperatūras diapazons	-55 līdz +175	℃

Elektriskās īpašības (TJ = 25 ℃, ja nav norādīts citādi)

Simbols	Parametrs	Nosacījumi	Min	Tip	Maks	Vienības
BVDSS	Drenāžas avota sadalījuma spriegums	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperatūras koeficients	Atsauce uz 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(th)	Vārtu sliekšņa spriegums	VDS= VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS (IESLĒGTS)	Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība	VGS=4.5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS (IESLĒGTS)	Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība	VGS=2,5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Nulles vārtu sprieguma drenāžas strāva	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Vārtu korpusa noplūdes strāva	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Ievades kapacitāte	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Izejas kapacitāte		---	460	---
Crss	Reversās pārsūtīšanas kapacitāte		---	446	---
Qg	Kopējā vārtu maksa	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Vārtu avota maksa		---	1.73	---
Qgd	Vārtu kanalizācijas maksa		---	3.1	---
tD(ieslēgts)	Ieslēgšanas aizkaves laiks	VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Ieslēgšanas pieauguma laiks		---	37	---
tD (izslēgts)	Izslēgšanas aizkaves laiks		---	63	---
tf	Rudens izslēgšanas laiks		---	52	---
VSD	Diodes priekšējais spriegums	IS=7,6A,VGS=0V	---	---	1.2	V