WSD3023DN56 N-Ch un P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Vispārīgs apraksts
WSD3023DN56 ir augstākās veiktspējas tranšejas N-ch un P-ch MOSFET ar ārkārtīgi augstu šūnu blīvumu, kas nodrošina izcilu RDSON un vārtu uzlādi lielākajai daļai sinhrono buck pārveidotāju lietojumprogrammu. WSD3023DN56 atbilst RoHS un zaļā produkta prasībām, 100% EAS garantēta ar apstiprinātu pilnu funkciju uzticamību.
Funkcijas
Uzlabota augsta šūnu blīvuma tranšeju tehnoloģija, īpaši zema vārtu uzlāde, lielisks CdV/dt efekta samazinājums, 100% EAS garantija, pieejama zaļa ierīce.
Lietojumprogrammas
Augstas frekvences slodzes punkta sinhronais pārveidotājs MB/NB/UMPC/VGA, tīkla līdzstrāvas līdzstrāvas barošanas sistēma, CCFL fona apgaismojuma pārveidotājs, droni, motori, automobiļu elektronika, galvenās ierīces.
atbilstošs materiāla numurs
PANJIT PJQ5606
Svarīgi parametri
| Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības | |
| N-Ch | P-Ch | |||
| VDS | Drenāžas avota spriegums | 30 | -30 | V |
| VGS | Vārtu avota spriegums | ±20 | ±20 | V |
| ID | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS(NP)=10V, Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
| Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS(NP)=10V, Ta=70℃ | 7.6 | -9.7 | A | |
| IDP a | Impulsa drenāžas strāva pārbaudīta, VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
| EAS c | Lavīnas enerģija, viens impulss, L = 0,5 mH | 20 | 20 | mJ |
| IAS c | Lavīnas strāva, viens impulss, L = 0,5 mH | 9 | -9 | A |
| PD | Kopējā jaudas izkliede, Ta=25℃ | 5.25 | 5.25 | W |
| TSTG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 175 | -55 līdz 175 | ℃ |
| TJ | Darba krustojuma temperatūras diapazons | 175 | 175 | ℃ |
| RqJA b | Termiskā pretestība - savienojums ar apkārtējo vidi, vienmērīgs stāvoklis | 60 | 60 | ℃/W |
| RqJC | Termiskā pretestība - savienojums ar korpusu, vienmērīgs stāvoklis | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
| Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība |
| BVDSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| RDS(ON)d | Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 17 | 25 | |||
| VGS(th) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS = VDS , ID = 250 uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
| IDSS | Drenāžas avota noplūdes strāva | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
| IGSS | Vārtu avota noplūdes strāva | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Vārtu pretestība | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
| Qge | Kopējā vārtu maksa | VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
| Qgse | Vārtu avota maksa | --- | 1.0 | --- | ||
| Qgde | Vārtu kanalizācijas maksa | --- | 2.8 | --- | ||
| Td(on)e | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
| Tre | Augšanas laiks | --- | 8.6 | --- | ||
| Td(off)e | Izslēgšanās aizkaves laiks | --- | 16 | --- | ||
| Tfe | Rudens laiks | --- | 3.6 | --- | ||
| Cisse | Ievades kapacitāte | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
| Cosse | Izejas kapacitāte | --- | 95 | --- | ||
| Crsse | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | --- | 55 | --- |
Uzrakstiet savu ziņojumu šeit un nosūtiet to mums
