WSD45N10GDN56 N-kanāls 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktu pārskats
WSD45N10GDN56 MOSFET spriegums ir 100 V, strāva ir 45 A, pretestība ir 14,5 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET pielietojuma jomas
E-cigaretes MOSFET, bezvadu uzlāde MOSFET, motori MOSFET, droni MOSFET, medicīniskā aprūpe MOSFET, auto lādētāji MOSFET, kontrolieri MOSFET, digitālie izstrādājumi MOSFET, mazā sadzīves tehnika MOSFET, sadzīves elektronika MOSFET.
WINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Pusvadītāju MOSFET PDC966X.
MOSFET parametri
Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības |
VDS | Drenāžas avota spriegums | 100 | V |
VGS | Vārti-Sūrce Spriegums | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGSpie 10V | 45 | A |
ID@TC=100℃ | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGSpie 10V | 33 | A |
ID@TA=25℃ | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGSpie 10V | 12 | A |
ID@TA=70℃ | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGSpie 10V | 9.6 | A |
IDMa | Impulsa drenāžas strāva | 130 | A |
EASb | Viena impulsa lavīnas enerģija | 169 | mJ |
IASb | Lavīnas strāva | 26 | A |
PD@TC=25℃ | Kopējā jaudas izkliede | 95 | W |
PD@TA=25℃ | Kopējā jaudas izkliede | 5.0 | W |
TSTG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | ℃ |
TJ | Darba krustojuma temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | ℃ |
Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība |
BVDSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperatūras koeficients | Atsauce uz 25℃, esD= 1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
RDS (IESLĒGTS)d | Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība2 | VGS=10V, ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
VGS(th) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS=VDS, esD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatūras koeficients | --- | -5 | mV/℃ | ||
IDSS | Drenāžas avota noplūdes strāva | VDS=80V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
VDS=80V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
IGSS | Vārtu avota noplūdes strāva | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
Rge | Vārtu pretestība | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qge | Kopējā vārtu uzlāde (10 V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
Qgse | Vārtu avota maksa | --- | 12 | -- | ||
Qgde | Vārtu kanalizācijas maksa | --- | 12 | --- | ||
Td (ieslēgts)e | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
Tre | Augšanas laiks | --- | 9 | 17 | ||
Td (izslēgts)e | Izslēgšanās aizkaves laiks | --- | 36 | 65 | ||
Tfe | Rudens laiks | --- | 22 | 40 | ||
Cisse | Ievades kapacitāte | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800. gads | --- | pF |
Cosse | Izejas kapacitāte | --- | 215 | --- | ||
Crsse | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | --- | 42 | --- |