WSD6040DN56 N-kanāls 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktu pārskats
WSD6040DN56 MOSFET spriegums ir 60V, strāva ir 36A, pretestība ir 14mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET pielietojuma jomas
E-cigaretes MOSFET, bezvadu uzlāde MOSFET, motori MOSFET, droni MOSFET, medicīniskā aprūpe MOSFET, auto lādētāji MOSFET, kontrolieri MOSFET, digitālie izstrādājumi MOSFET, mazā sadzīves tehnika MOSFET, sadzīves elektronika MOSFET.
WINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Pusvadītāju MOSFET PDC6964X.
MOSFET parametri
| Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības | ||
| VDS | Drenāžas avota spriegums | 60 | V | ||
| VGS | Vārtu avota spriegums | ±20 | V | ||
| ID | Nepārtraukta drenāžas strāva | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Nepārtraukta drenāžas strāva | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Impulsa drenāžas strāva | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Maksimālā jaudas izkliede | TC=25°C | 37.8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maksimālā jaudas izkliede | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Lavīnas strāva, viens impulss | L = 0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Viena impulsa lavīnas enerģija | L = 0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Diodes nepārtraukta priekšējā strāva | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maksimālā savienojuma temperatūra | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Termiskās pretestības savienojums ar apkārtējo vidi | Stabils stāvoklis | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Termiskā pretestība - savienojums ar korpusu | Stabils stāvoklis | 3.3 | ℃/W | |
| Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība | |
| Statisks | |||||||
| V(BR)DSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Nulles vārtu sprieguma drenāžas strāva | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Vārtu noplūdes strāva | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Par raksturlielumiem | |||||||
| VGS(TH) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (ieslēgts)d | Drenāžas avota darbības pretestība | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Pārslēgšanās | |||||||
| Qg | Kopējā vārtu maksa | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Vārtu kanalizācijas maksa | 9.6 | nC | ||||
| td (ieslēgts) | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VGEN = 10 V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Ieslēgšanas pieauguma laiks | 9 | ns | ||||
| td (izslēgts) | Izslēgšanas aizkaves laiks | 58 | ns | ||||
| tf | Rudens izslēgšanas laiks | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat pretestība | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamisks | |||||||
| Ciss | Kapacitātē | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100. gads | pF | |||
| Coss | Izejas kapacitāte | 140 | pF | ||||
| Crss | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | 100 | pF | ||||
| Drenāžas avota diodes raksturlielumi un maksimālās vērtības | |||||||
| IS | Nepārtraukta avota strāva | VG=VD=0V, spēka strāva | 18 | A | |||
| ISM | Impulsa avota strāva3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diodes priekšējais spriegums | ISD = 20A, VGS = 0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Reversais atkopšanas laiks | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| QRr | Apgrieztā atgūšanas maksa | 33 | nC | ||||
