WSD60N10GDN56 N-kanāls 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktu pārskats
WSD60N10GDN56 MOSFET spriegums ir 100 V, strāva ir 60 A, pretestība ir 8,5 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET pielietojuma jomas
E-cigaretes MOSFET, bezvadu uzlāde MOSFET, motori MOSFET, droni MOSFET, medicīniskā aprūpe MOSFET, auto lādētāji MOSFET, kontrolieri MOSFET, digitālie izstrādājumi MOSFET, mazā sadzīves tehnika MOSFET, sadzīves elektronika MOSFET.
MOSFET pielietojuma laukiWINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET T SiR84DP,SiR87ADP.MOSFANPHBANS13B3GGNPHNSFINEON,19SFIRNPHNSFINEON. L,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Pusvadītājs MOSFET PDC92X.
MOSFET parametri
| Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības |
| VDS | Drenāžas avota spriegums | 100 | V |
| VGS | Vārtu avota spriegums | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Nepārtraukta drenāžas strāva | 60 | A |
| IDP | Impulsa drenāžas strāva | 210 | A |
| EAS | Lavīnas enerģija, viens impulss | 100 | mJ |
| PD@TC= 25℃ | Kopējā jaudas izkliede | 125 | W |
| TSTG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | ℃ |
| TJ | Darba krustojuma temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | ℃ |
| Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība |
| BVDSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
| Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS (IESLĒGTS) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS=VDS, esD= 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drenāžas avota noplūdes strāva | VDS=80V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Vārtu avota noplūdes strāva | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Kopējā vārtu uzlāde (10 V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Vārtu avota maksa | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Vārtu kanalizācijas maksa | --- | 12.4 | --- | ||
| Td (ieslēgts) | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VDD=50V, VGS=10V,RG=2,2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Pieaugšanas laiks | --- | 5 | --- | ||
| Td (izslēgts) | Izslēgšanās aizkaves laiks | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Rudens laiks | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Ievades kapacitāte | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Izejas kapacitāte | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Nepārtraukta avota strāva | VG=VD=0V, spēka strāva | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Impulsa avota strāva | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Diodes priekšējais spriegums | VGS= 0 V, IS=12A , TJ= 25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Reversais atkopšanas laiks | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Apgrieztā atgūšanas maksa | --- | 106.1 | --- | nC |
