WSD60N12GDN56 N-kanāls 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktiem

WSD60N12GDN56 N-kanāls 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Īss apraksts:

Daļas numurs:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Kanāls:N-kanāls

Iepakojums:DFN5X6-8


Produkta informācija

Pieteikums

Produktu etiķetes

WINSOK MOSFET produktu pārskats

WSD60N12GDN56 MOSFET spriegums ir 120V, strāva ir 70A, pretestība ir 10mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET pielietojuma jomas

Medicīnas iekārtas MOSFET, droni MOSFET, PD barošanas avoti MOSFET, LED barošanas avoti MOSFET, rūpnieciskās iekārtas MOSFET.

MOSFET pielietojuma laukiWINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Pusvadītāju MOSFET PDC974X.

MOSFET parametri

Simbols

Parametrs

Vērtējums

Vienības

VDS

Drenāžas avota spriegums

120

V

VGS

Vārtu avota spriegums

±20

V

ID@TC= 25℃

Nepārtraukta drenāžas strāva

70

A

IDP

Impulsa drenāžas strāva

150

A

EAS

Lavīnas enerģija, viens impulss

53.8

mJ

PD@TC= 25℃

Kopējā jaudas izkliede

140

W

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz 150

TJ 

Darba krustojuma temperatūras diapazons

-55 līdz 150

 

Simbols

Parametrs

Nosacījumi

Min.

Tip.

Maks.

Vienība

BVDSS 

Drenāžas avota sadalījuma spriegums VGS= 0 V, ID= 250 uA

120

---

---

V

  Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS (IESLĒGTS)

VGS=4,5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(th)

Vārtu sliekšņa spriegums VGS=VDS, esD= 250 uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Drenāžas avota noplūdes strāva VDS=80V, VGS= 0 V, TJ= 25℃

---

---

1

uA

IGSS

Vārtu avota noplūdes strāva VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Kopējā vārtu uzlāde (10 V) VDS=50V, VGS=10V, ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Vārtu avota maksa

---

5.6

---

Qgd 

Vārtu kanalizācijas maksa

---

7.2

---

Td (ieslēgts)

Ieslēgšanas aizkaves laiks VDD=50V, VGS=10V,

RG=2Ω, ID=25A

---

22

---

ns

Tr 

Pieaugšanas laiks

---

10

---

Td (izslēgts)

Izslēgšanās aizkaves laiks

---

85

---

Tf 

Rudens laiks

---

112

---

Ciss 

Ievades kapacitāte VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Izejas kapacitāte

---

330

---

Crss 

Reversās pārsūtīšanas kapacitāte

---

11

---

IS 

Nepārtraukta avota strāva VG=VD=0V, spēka strāva

---

---

50

A

ISP

Impulsa avota strāva

---

---

150

A

VSD

Diodes priekšējais spriegums VGS= 0 V, IS=12A , TJ= 25℃

---

---

1.3

V

trr 

Reversais atkopšanas laiks IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25℃

---

62

---

nS

Qrr 

Apgrieztā atgūšanas maksa

---

135

---

nC

 


  • Iepriekšējais:
  • Nākamais:

  • Uzrakstiet savu ziņu šeit un nosūtiet to mums