WSD75100DN56 N-kanāls 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktiem

WSD75100DN56 N-kanāls 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

īss apraksts:

Daļas numurs:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ID:100A

RDSON:5,3 mΩ 

Kanāls:N-kanāls

Iepakojums:DFN5X6-8


Produkta informācija

Pieteikums

Produktu etiķetes

WINSOK MOSFET produktu pārskats

WSD75100DN56 MOSFET spriegums ir 75 V, strāva ir 100 A, pretestība ir 5,3 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET pielietojuma jomas

E-cigaretes MOSFET, bezvadu uzlāde MOSFET, droni MOSFET, medicīniskā aprūpe MOSFET, auto lādētāji MOSFET, kontrolieri MOSFET, digitālie produkti MOSFET, mazā sadzīves tehnika MOSFET, sadzīves elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET MOSFET7BSCDSC3NS3PON 966X.

MOSFET parametri

Simbols

Parametrs

Vērtējums

Vienības

VDS

Drenāžas avota spriegums

75

V

VGS

Vārti-Sūrce Spriegums

±25

V

TJ

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

ID

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz 150

°C

IS

Diodes nepārtraukta priekšējā strāva, TC=25°C

50

A

ID

Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Impulsa drenāžas strāva, TC=25°C

400

A

PD

Maksimālā jaudas izkliede, TC=25°C

155

W

Maksimālā jaudas izkliede, TC=100°C

62

W

RθJA

Termiskā pretestība-Savienojums ar apkārtējo vidi ,t =10s ̀

20

°C

Termiskā pretestība - savienojums ar apkārtējo vidi, līdzsvarots stāvoklis

60

°C

RqJC

Termiskā pretestība - savienojums ar korpusu

0.8

°C

IAS

Lavīnas strāva, viens impulss, L=0,5 mH

30

A

EAS

Lavīnas enerģija, viens impulss, L = 0,5 mH

225

mJ

 

Simbols

Parametrs

Nosacījumi

Min.

Tip.

Maks.

Vienība

BVDSS

Drenāžas avota sadalījuma spriegums VGS= 0 V, ID= 250 uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatūras koeficients Atsauce uz 25, esD= 1mA

---

0,043

---

V/

RDS (IESLĒGTS)

Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība2 VGS=10V, ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Vārtu sliekšņa spriegums VGS=VDS, esD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatūras koeficients

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drenāžas avota noplūdes strāva VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Vārtu avota noplūdes strāva VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Pārvadītspēja uz priekšu VDS= 5 V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Vārtu pretestība VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Kopējā vārtu uzlāde (10 V) VDS=20V, VGS=10V, ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Vārtu avota maksa

---

20

---

Qgd

Vārtu kanalizācijas maksa

---

17

---

Td (ieslēgts)

Ieslēgšanas aizkaves laiks VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, esD=1A,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Augšanas laiks

---

14

26

Td (izslēgts)

Izslēgšanās aizkaves laiks

---

60

108

Tf

Rudens laiks

---

37

67

Ciss

Ievades kapacitāte VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Izejas kapacitāte

245

395

652

Crss

Reversās pārsūtīšanas kapacitāte

100

195

250


  • Iepriekšējais:
  • Nākamais:

  • Uzrakstiet savu ziņojumu šeit un nosūtiet to mums