WSD80100DN56 N-kanāls 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktu pārskats
WSD80100DN56 MOSFET spriegums ir 80 V, strāva ir 100 A, pretestība ir 6,1 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET pielietojuma jomas
Drons MOSFET, motori MOSFET, automobiļu elektronika MOSFET, galvenās ierīces MOSFET.
WINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Pusvadītāju MOSFET PDC7966X.
MOSFET parametri
Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības |
VDS | Drenāžas avota spriegums | 80 | V |
VGS | Vārti-Sūrce Spriegums | ±20 | V |
TJ | Maksimālā savienojuma temperatūra | 150 | °C |
ID | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | °C |
ID | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
IDM | Impulsa drenāžas strāva, TC=25°C | 380 | A |
PD | Maksimālā jaudas izkliede, TC=25°C | 200 | W |
RqJC | Termiskā pretestība - savienojums ar korpusu | 0.8 | °C |
EAS | Lavīnas enerģija, viens impulss, L = 0,5 mH | 800 | mJ |
Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība |
BVDSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatūras koeficients | Atsauce uz 25℃, esD= 1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
RDS (IESLĒGTS) | Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
VGS(th) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS=VDS, esD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatūras koeficients | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drenāžas avota noplūdes strāva | VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Vārtu avota noplūdes strāva | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Pārvadītspēja uz priekšu | VDS= 5 V, ID=20A | 80 | --- | --- | S |
Qg | Kopējā vārtu uzlāde (10 V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 125 | --- | nC |
Qgs | Vārtu avota maksa | --- | 24 | --- | ||
Qgd | Vārtu kanalizācijas maksa | --- | 30 | --- | ||
Td (ieslēgts) | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VDD=30V, VGS=10V, RG=2,5Ω, esD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
Tr | Augšanas laiks | --- | 19 | --- | ||
Td (izslēgts) | Izslēgšanās aizkaves laiks | --- | 70 | --- | ||
Tf | Rudens laiks | --- | 30 | --- | ||
Ciss | Ievades kapacitāte | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
Coss | Izejas kapacitāte | --- | 410 | --- | ||
Crss | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | --- | 315 | --- |