WSD80130DN56 N-kanāls 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktu pārskats
WSD80130DN56 MOSFET spriegums ir 80 V, strāva ir 130 A, pretestība ir 2,7 mΩ, kanāls ir N-kanāls, un pakete ir DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET pielietojuma jomas
Droni MOSFET, motori MOSFET, medicīnas MOSFET, elektroinstrumenti MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET atbilst citu zīmolu materiālu numuriem
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET parametri
| Simbols | Parametrs | Vērtējums | Vienības |
| VDS | Drenāžas avota spriegums | 80 | V |
| VGS | Vārti-Sūrce Spriegums | ±20 | V |
| TJ | Maksimālā savienojuma temperatūra | 150 | °C |
| ID | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -55 līdz 150 | °C |
| ID | Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=25°C | 130 | A |
| Nepārtraukta drenāžas strāva, VGS=10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Impulsa drenāžas strāva, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksimālā jaudas izkliede, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Termiskā pretestība - savienojums ar korpusu | 1.25 | °C |
| Simbols | Parametrs | Nosacījumi | Min. | Tip. | Maks. | Vienība |
| BVDSS | Drenāžas avota sadalījuma spriegums | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatūras koeficients | Atsauce uz 25℃, esD= 1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (IESLĒGTS) | Statiskā aizplūšanas avota ieslēgšanas pretestība2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(th) | Vārtu sliekšņa spriegums | VGS=VDS, esD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatūras koeficients | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenāžas avota noplūdes strāva | VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Vārtu avota noplūdes strāva | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Kopējā vārtu uzlāde (10 V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Vārtu avota maksa | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Vārtu kanalizācijas maksa | --- | 10.4 | --- | ||
| Td (ieslēgts) | Ieslēgšanas aizkaves laiks | VDD=30V, VGS=10V, RG=2,5Ω, esD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Augšanas laiks | --- | 10 | --- | ||
| Td (izslēgts) | Izslēgšanās aizkaves laiks | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Rudens laiks | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Ievades kapacitāte | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Coss | Izejas kapacitāte | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Reversās pārsūtīšanas kapacitāte | --- | 20 | --- |
