WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

Īss apraksts:

Modeļa numurs:WSF4022

BVDSS:40V

RDSON:21 mΩ

ID:20A

Kanāls:Divkāršs N-kanāls

Iepakojums:TO-252-4L

Vasarīgs produkts:WSF30150 MOSFET spriegums ir 40 V, strāva ir 20 A, pretestība ir 21 mΩ, kanāls ir Dual N-Channel, un iepakojums ir TO-252-4L.

Lietojumprogrammas:E-cigaretes, bezvadu uzlāde, motori, avārijas barošanas avoti, droni, medicīniskā aprūpe, auto lādētāji, kontrolieri, digitālie izstrādājumi, mazā sadzīves tehnika, sadzīves elektronika.

Nosūtiet mums e-pastu PDF

Produkta informācija

Pieteikums

Produktu etiķetes

Vispārīgs apraksts

WSF4022 ir augstākās veiktspējas tranšejas Dual N-Ch MOSFET ar ārkārtīgi augstu šūnu blīvumu, kas nodrošina izcilu RDSON un vārtu uzlādi lielākajai daļai sinhrono buck pārveidotāju lietojumprogrammu. WSF4022 atbilst RoHS un zaļā produkta prasībām. 100% EAS garantēta ar pilnu funkciju apstiprināta uzticamība.

Iespējas

Paredzēts ventilatora pirmsvadītāja H tiltam, motora vadībai, sinhronajai iztaisnošanai, e-cigaretēm, bezvadu uzlādei, motoriem, avārijas barošanas avotiem, droniem, medicīniskajai aprūpei, automašīnu lādētājiem, kontrolieriem, digitālajiem produktiem, mazajām sadzīves ierīcēm, plaša patēriņa elektronikai.

Lietojumprogrammas

atbilstošs materiāla numurs

AOS

Svarīgi parametri

Simbols	Parametrs		Vērtējums	Vienības
VDS	Drenāžas avota spriegums		40	V
VGS	Vārtu avota spriegums		±20	V
ID	Drenāžas strāva (nepārtraukta) *AC	TC=25°C	20*	A
ID	Drenāžas strāva (nepārtraukta) *AC	TC=100°C	20*	A
ID	Drenāžas strāva (nepārtraukta) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	Drenāžas strāva (nepārtraukta) *AC	TA=70°C	10.2	A
IDMa	Impulsa drenāžas strāva	TC=25°C	80*	A
EASb	Viena impulsa lavīnas enerģija	L = 0,5 mH	25	mJ
SGS b	Lavīnas strāva	L = 0,5 mH	17.8	A
PD	Maksimālā jaudas izkliede	TC=25°C	39.4	W
PD	Maksimālā jaudas izkliede	TC=100°C	19.7	W
PD	Jaudas izkliede	TA=25°C	6.4	W
PD	Jaudas izkliede	TA=70°C	4.2	W
TJ	Darba krustojuma temperatūras diapazons		175	℃
TSTG	Darba temperatūra/ Uzglabāšanas temperatūra		-55 ~ 175	℃
RθJA b	Termiskās pretestības krustojums-vide	Līdzsvara stāvoklis c	60	℃/W
RθJC	Termiskās pretestības savienojums ar korpusu		3.8	℃/W

Simbols	Parametrs	Nosacījumi	Min.	Tip.	Maks.	Vienība
Statisks
V(BR)DSS	Drenāžas avota sadalījuma spriegums	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	Nulles vārtu sprieguma drenāžas strāva	VDS = 32V, VGS = 0V			1	µA
IDSS	Nulles vārtu sprieguma drenāžas strāva	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	µA
IGSS	Vārtu noplūdes strāva	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS(th)	Vārtu sliekšņa spriegums	VGS = VDS, IDS = 250 µA	1.1	1.6	2.5	V
RDS(ieslēgts) d	Drenāžas avota darbības pretestība	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(ieslēgts) d	Drenāžas avota darbības pretestība	VGS = 4,5 V, ID = 5 A		18	25	mΩ
Gate Chargee
Qg	Kopējā vārtu maksa	VDS=20V,VGS=4,5V, ID=10A		7.5		nC
Qgs	Vārtu avota maksa			3.24		nC
Qgd	Vārtu kanalizācijas maksa			2.75		nC
Dinamika
Ciss	Ievades kapacitāte	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
Coss	Izejas kapacitāte			95		pF
Crss	Reversās pārsūtīšanas kapacitāte			60		pF
td (ieslēgts)	Ieslēgšanas aizkaves laiks	VDD = 20 V, VGEN = 10 V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.		7.8		ns
tr	Ieslēgšanas pieauguma laiks			6.9		ns
td (izslēgts)	Izslēgšanas aizkaves laiks			22.4		ns
tf	Rudens izslēgšanas laiks			4.8		ns
Diode
VSDd	Diodes priekšējais spriegums	ISD=1A, VGS=0V		0,75	1.1	V
trr	Ievades kapacitāte	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
QRr	Izejas kapacitāte	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC