Par jaudas MOSFET darbības principu

Ir daudz ķēžu simbolu variāciju, ko parasti izmanto MOSFET. Visizplatītākā konstrukcija ir taisna līnija, kas apzīmē kanālu, divas līnijas, kas ir perpendikulāras kanālam, kas attēlo avotu un noteci, un īsāka līnija, kas ir paralēla kanālam kreisajā pusē, kas apzīmē vārtus. Dažreiz taisnā līnija, kas attēlo kanālu, tiek aizstāta ar pārtrauktu līniju, lai atšķirtu uzlabošanas režīmumosfets vai izsīkuma režīma MOSFET, kas arī ir sadalīts N-kanāla MOSFET un P-kanāla MOSFET divu veidu ķēdes simbolos, kā parādīts attēlā (bultiņas virziens ir atšķirīgs).

Jaudas MOSFET darbojas divos galvenajos veidos:

(1) Ja D un S ir pievienots pozitīvs spriegums (notekas pozitīvs, avota negatīvs) un UGS = 0, PN pāreja P korpusa reģionā un N aizplūšanas apgabalā ir apgriezta nobīde, un starp D nav strāvas. un S. Ja starp G un S tiek pievienots pozitīvs spriegums UGS, vārtu strāva neplūst, jo vārti ir izolēti, bet pozitīvs spriegums pie vārtiem nobīdīs caurumus prom no P apgabala. apakšā, un mazākuma nesējelektroni tiks piesaistīti P apgabala virsmai Ja UGS ir lielāks par noteiktu spriegumu UT, elektronu koncentrācija uz P apgabala virsmas zem vārtiem pārsniegs cauruma koncentrāciju, tādējādi padarot P- tipa pusvadītāju pretraksta slāņa N tipa pusvadītājs; šis pretraksta slānis veido N veida kanālu starp avotu un noteku, tā ka PN savienojums pazūd, avots un noteka ir vadošs, un drenāžas strāva ID plūst caur kanalizāciju. UT sauc par ieslēgšanas spriegumu vai sliekšņa spriegumu, un jo vairāk UGS pārsniedz UT, jo vadošāka ir vadītspēja un jo lielāks ir ID. Jo lielāks UGS pārsniedz UT, jo spēcīgāka ir vadītspēja, jo lielāks ID.

(2) Ja D, S plus negatīvs spriegums (avots pozitīvs, drenāžas negatīvs), PN pāreja ir nospriegota uz priekšu, kas ir līdzvērtīga iekšējai reversai diodei (tam nav ātras reakcijas raksturlielumu), tas ir,MOSFET nav reversās bloķēšanas iespējas, to var uzskatīt par apgrieztas vadīšanas komponentiem.

PēcMOSFET darbības principu var redzēt, tā vadītspēja tikai viena polaritāte pārvadātājiem, kas iesaistīti vadošā, tāpēc pazīstams arī kā unipolārs tranzistors. MOSFET disks bieži ir balstīts uz barošanas IC un MOSFET parametriem, lai izvēlētos atbilstošo ķēdi, MOSFET parasti izmanto pārslēgšanai barošanas avota piedziņas ķēde. Projektējot komutācijas barošanas avotu, izmantojot MOSFET, lielākā daļa cilvēku ņem vērā MOSFET ieslēgšanas pretestību, maksimālo spriegumu un maksimālo strāvu. Tomēr cilvēki ļoti bieži ņem vērā tikai šos faktorus, lai ķēde varētu darboties pareizi, taču tas nav labs dizaina risinājums. Lai iegūtu detalizētāku dizainu, MOSFET jāņem vērā arī sava parametru informācija. Noteiktam MOSFET tā piedziņas ķēde, piedziņas izejas maksimālā strāva utt. ietekmēs MOSFET komutācijas veiktspēju.