De rol van vermogens-MOSFET-apparaten

JaudaMOSFET is een relatief vēl voorkomende class van voedingsapparaten, "MOSFET" ir angļu valodā "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materiaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van dre grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht kanel depleen in verbeterde type N-kanāls tips en P-kanāls tips.

Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET ražotājs de parametrs RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) ir ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Datu informācijas rokasgrāmata definieert RDS(ON) in relatie tot de drijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) ir relatīvs statisks gegevensparameter voor voldoende vārtu piedziņai.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET paralēli laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroomi naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in series schakelen zodat de RDS(ON) redelik kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), in het hele process van MOSFET selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parametri zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de korrelatie tussen drainstroom un drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en strom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Iepriekšminētajiem slodzes apstākļiem pēc lielāka darba sprieguma noteikšanas (vai mērīšanas) un pēc tam atstājot 20% līdz 30% rezervi, varat norādīt nepieciešamo MOSFET nominālās strāvas VDS vērtību. Šeit jāsaka, ka, lai labāk palielinātu izmaksas un vienmērīgākus raksturlielumus, maiņstrāvas sērijā var izvēlēties strāvas diodes un induktorus, slēdzot strāvas vadības cilpas sastāvu, atbrīvot no induktīvās strāvas kinētisko enerģiju, lai saglabātu MOSFET. nominālā strāva ir skaidra, strāvu var secināt. Bet šeit jāņem vērā divi parametri: viens ir strāvas vērtība nepārtrauktā darbībā un viena impulsa strāvas smaile (Spike un Surge) lielākā vērtība, šie divi parametri, lai izlemtu, cik daudz jums vajadzētu izvēlēties nominālo vērtību pašreizējā vērtība.