Kā darbojas MOSFET?

1, MOSFETievads

FieldFfect Transistor saīsinājums (FET)) nosaukums MOSFET. neliels skaits nesēju, lai piedalītos siltuma vadīšanā, ko sauc arī par daudzpolu tranzistoru. Tas pieder sprieguma pārvaldīšanas tipa pussupravadītāju mehānismam. Izejas pretestība ir augsta (10^8 ~ 10^9Ω), zems trokšņa līmenis, zems enerģijas patēriņš, statiskais diapazons, viegli integrējams, nav otrreizēja sabrukuma parādības, jūras mēroga apdrošināšanas uzdevums un citas priekšrocības, tagad ir mainījies. spēcīgo līdzstrādnieku bipolārais tranzistors un jaudas savienojuma tranzistors.

2, MOSFET raksturlielumi

1, MOSFET ir sprieguma vadības ierīce, to caur VGS (vārtu avota spriegumu) vadības ID (drenāžas līdzstrāva);

2, MOSFETizejas līdzstrāvas pols ir mazs, tāpēc izejas pretestība ir liela.

3, tas ir neliela skaita nesēju izmantošana siltuma vadīšanai, tāpēc viņam ir labāks stabilitātes rādītājs;

4, tas sastāv no samazināšanas ceļa elektriskās samazināšanas koeficients ir mazāks nekā triode sastāv no samazināšanas ceļa samazinājuma koeficientu;

5, MOSFET pretapstarošanas spēja;

6, jo nav nepareizas oligonu dispersijas aktivitātes, ko izraisa izkliedētas trokšņa daļiņas, tāpēc troksnis ir zems.

3, MOSFET uzdevuma princips

MOSFETdarbības princips vienā teikumā ir "drenāža - avots starp ID, kas plūst caur kanālu vārtiem, un kanālu starp pn krustojumu, ko veido vārtu sprieguma galvenā ID apgrieztā nobīde", precīzāk sakot, ID plūst cauri platumam. no ceļa, tas ir, kanāla šķērsgriezuma laukums, ir izmaiņas pn krustojuma apgrieztajā novirzē, kas rada noplicināšanas slāni. Iemesls paplašinātajai variācijas kontrolei. VGS = 0 nepiesātinātajā jūrā, tā kā pārejas slāņa izplešanās nav ļoti liela, saskaņā ar VDS magnētiskā lauka pievienošanu starp drenāžas avotu daži elektroni avota jūrā tiek izvilkti. notekas, ti, ir DC ID darbība no kanalizācijas līdz avotam. Mērens slānis, kas palielināts no vārtiem līdz kanalizācijai, padara visu kanāla korpusu bloķējošu, ID pilnu. Nosauciet šo veidlapu par šķipsnu. Simbolizē pārejas slāni uz visa šķēršļa kanālu, nevis līdzstrāvas padevi.

Tā kā pārejas slānī nav brīvas elektronu kustības un caurumu, tam ir gandrīz izolējošas īpašības ideālā formā, un vispārējai strāvai ir grūti plūst. Bet tad elektriskais lauks starp noteku - avotu, faktiski divu pārejas slāņu kontakta noteku un vārtu stabu netālu no apakšējās daļas, jo dreifa elektriskais lauks izvelk ātrgaitas elektronus caur pārejas slāni. Drifta lauka intensitāte ir gandrīz nemainīga, radot ID ainas pilnību.

Ķēdē tiek izmantota uzlabota P-kanāla MOSFET un uzlabota N-kanāla MOSFET kombinācija. Kad ieeja ir zema, P-kanāla MOSFET vada un izeja tiek savienota ar barošanas avota pozitīvo spaili. Kad ieeja ir augsta, N-kanālu MOSFET vada un izeja tiek pievienota barošanas avota zemei. Šajā shēmā P-kanāla MOSFET un N-kanāla MOSFET vienmēr darbojas pretējos stāvokļos, un to fāzes ieejas un izejas ir apgrieztas.