N tipa, P tipa MOSFET darbības princips būtībā ir vienāds, MOSFET galvenokārt tiek pievienots vārtu sprieguma ieejas pusei, lai veiksmīgi kontrolētu drenāžas strāvas izejas pusi, MOSFET ir sprieguma kontrolēta ierīce, izmantojot pievienoto spriegumu. uz vārtiem, lai kontrolētu ierīces raksturlielumus, atšķirībā no triodes, lai veiktu pārslēgšanās laiku bāzes strāvas dēļ, ko izraisa lādiņu uzglabāšanas efekts, pārslēgšanas lietojumprogrammās, MOSFET pārslēgšanas lietojumprogrammās,MOSFET pārslēgšanās ātrums ir lielāks nekā triodei.
Komutācijas barošanas avotā, parasti izmantotajā MOSFET atvērtajā drenāžas ķēdē, kanalizācija ir pievienota slodzei, ko sauc par atvērtu noteku, atvērtu drenāžas ķēdi, slodze ir savienota ar to, cik augsts spriegums, var ieslēgt, izslēgt slodzes strāva ir ideāla analogā komutācijas ierīce, kas ir MOSFET princips, lai veiktu komutācijas ierīces, un MOSFET, lai veiktu pārslēgšanu vairāku ķēžu veidā.
Attiecībā uz komutācijas barošanas avota lietojumprogrammām šī lietojumprogramma prasa MOSFET lai periodiski vadītu, izslēgtu, piemēram, līdzstrāvas-līdzstrāvas barošanas avots, ko parasti izmanto pamata buck pārveidotājā, paļaujas uz diviem MOSFET, lai veiktu pārslēgšanas funkciju, šie slēdži pārmaiņus induktors uzkrātu enerģiju, atbrīvotu enerģiju slodzei, bieži izvēlas simtiem kHz vai pat vairāk par 1 MHz, galvenokārt tāpēc, ka jo augstāka ir frekvence, jo mazākas ir magnētiskās sastāvdaļas. Normālas darbības laikā MOSFET ir līdzvērtīgs vadītājam, piemēram, lieljaudas MOSFET, maza sprieguma MOSFET, ķēdes, barošanas avots ir minimālais MOS vadītspējas zudums.
MOSFET PDF parametri, MOSFET ražotāji ir veiksmīgi pieņēmuši RDS (ON) parametru, lai noteiktu ieslēgšanas stāvokļa pretestību, lai pārslēgtu lietojumprogrammas, RDS (ON) ir vissvarīgākā ierīces īpašība; datu lapās ir definēts RDS (ON), vārtu (vai piedziņas) spriegums VGS un strāva, kas plūst caur slēdzi, ir saistīti, atbilstošai vārtu piedziņai RDS (ON) ir relatīvi statisks parametrs; MOSFET, kas ir bijuši vadītspējīgi, ir pakļauti siltuma ģenerēšanai, un lēnām pieaugoša savienojuma temperatūra var izraisīt RDS (ON) palielināšanos;MOSFET datu lapās ir norādīts termiskās pretestības parametrs, kas tiek definēts kā MOSFET paketes pusvadītāju savienojuma spēja izkliedēt siltumu, un RθJC ir vienkārši definēts kā savienojuma-uz korpusa termiskā pretestība.
1, frekvence ir pārāk augsta, dažreiz pārmērīga skaļuma palielināšanās, tieši novedīs pie augstas frekvences, MOSFET zudumi palielinās, jo lielāks ir siltums, neveic labu darbu ar atbilstošu siltuma izkliedes dizainu, lielu strāvu, nominālo vērtību MOSFET pašreizējā vērtība, lai panāktu labu siltuma izkliedi; ID ir mazāks par maksimālo strāvu, var būt nopietns karstums, nepieciešamība pēc atbilstošiem papildu radiatoriem.
2, MOSFET izvēles kļūdas un kļūdas jaudas spriedumos, MOSFET iekšējā pretestība nav pilnībā ņemta vērā, tieši novedīs pie palielinātas pārslēgšanas pretestības, risinot MOSFET apkures problēmas.
3, ķēdes projektēšanas problēmu dēļ, kā rezultātā rodas siltums, tāpēc MOSFET darbojas lineārā darba stāvoklī, nevis pārslēgšanās stāvoklī, kas ir tiešs MOSFET sildīšanas cēlonis, piemēram, N-MOS pārslēdzas, G- līmeņa spriegumam ir jābūt par dažiem V augstākam par barošanas avotu, lai varētu pilnībā vadīt, P-MOS atšķiras; ja nav pilnībā atvērts, sprieguma kritums ir pārāk liels, kas radīs enerģijas patēriņu, ekvivalentā līdzstrāvas pretestība ir lielāka, palielināsies arī sprieguma kritums, U * es arī palielināsies, zudumi radīs siltumu.
Izlikšanas laiks: Aug-01-2024
