D-FET ir 0 vārtu neobjektivitāte, kad kanāla esamība var veikt FET; E-FET ir 0 vārtu novirzes, ja nav kanāla, nevar veikt FET. šiem diviem FET veidiem ir savas īpašības un pielietojums. Kopumā uzlabots FET ātrdarbīgās, mazjaudas ķēdēs ir ļoti vērtīgs; un šī ierīce darbojas, tā ir vārtu novirzes polaritāte voltage un notekas vienāds spriegums, tas ir ērtāk ķēdes projektēšanā.
Tā sauktais uzlabotais līdzeklis: ja VGS = 0 caurule ir nogrieztais stāvoklis, plus pareizais VGS, lielākā daļa nesēju tiek piesaistīti vārtiem, tādējādi "uzlabojot" nesējus reģionā, veidojot vadošu kanālu. n-kanālu uzlabotais MOSFET būtībā ir kreisās un labās puses simetriska topoloģija, kas ir P veida pusvadītājs SiO2 plēves izolācijas slāņa ģenerēšanai. Tas ģenerē izolējošu SiO2 plēves slāni uz P veida pusvadītāja un pēc tam izkliedē divus ļoti leģētus N tipa reģionus.fotolitogrāfija, un vada elektrodus no N tipa apgabala, vienu drenai D un vienu avotam S. Alumīnija metāla slānis ir pārklāts uz izolācijas slāņa starp avotu un kanalizāciju kā aizbīdni G. Kad VGS = 0 V , ir diezgan daudz diožu ar savstarpēji savienotām diodēm starp noteci un avotu, un spriegums starp D un S neveido strāvu starp D un S. Strāvu starp D un S neveido pieliktais spriegums. .
Pievienojot vārtu spriegumu, ja 0 < VGS < VGS(th), caur kapacitatīvo elektrisko lauku, kas veidojas starp vārtiem un pamatni, poliona caurumi P tipa pusvadītājā pie vārtu apakšas tiek atgrūsti uz leju, un parādās plāns negatīvo jonu noplicināšanas slānis; tajā pašā laikā tas piesaistīs tajā esošos oligonus, lai tie pārvietotos uz virsmas slāni, taču to skaits ir ierobežots un nepietiekams, lai izveidotu vadošu kanālu, kas sazinās ar noteci un avotu, tāpēc tas joprojām ir nepietiekams, lai izveidotu notekas strāvas ID. tālāku pieaugumu VGS, kad VGS > VGS (th) (VGS (th) sauc par ieslēgšanas spriegumu), jo šajā laikā vārtu spriegums ir bijis relatīvi spēcīgs, P-tipa pusvadītāju virsmas slānī netālu no vārtu apakšas zem uzkrājas vairāk elektronus, jūs varat izveidot tranšeju, kanalizāciju un sakaru avotu. Ja šajā laikā tiek pievienots drenāžas avota spriegums, drenāžas strāvu var veidot ID. elektroni vadošajā kanālā, kas veidojas zem vārtiem, jo nesēja cauruma ar P-veida pusvadītāju polaritāte ir pretēja, tāpēc to sauc par anti-tipa slāni. Tā kā VGS turpina palielināties, ID turpinās palielināties. ID = 0 pie VGS = 0 V, un drenāžas strāva rodas tikai pēc VGS > VGS(th), tāpēc šāda veida MOSFET sauc par uzlabošanas MOSFET.
VGS regulēšanas saistību ar drenāžas strāvu var aprakstīt ar līkni iD = f(VGS(th))|VDS=const, ko sauc par pārneses raksturlīkni, un pārneses raksturlīknes slīpuma lielumu gm, atspoguļo drenāžas strāvas kontroli ar vārtu avota spriegumu. gm lielums ir mA/V, tāpēc gm sauc arī par transvadītspēju.
Izlikšanas laiks: Aug-04-2024
