Mūsdienās, strauji attīstoties zinātnei un tehnoloģijām, pusvadītājus izmanto arvien vairāk nozarēs, kurāsMOSFET tiek uzskatīta arī par ļoti izplatītu pusvadītāju ierīci, nākamais solis ir saprast, kāda ir atšķirība starp bipolārā jaudas kristāla tranzistora un izejas jaudas MOSFET īpašībām.
1, darba veids
MOSFET ir darbs, kas nepieciešams, lai veicinātu darba spriegumu, ķēdes diagrammas izskaidro salīdzinoši vienkārši, veicina mazo jaudu; jaudas kristāla tranzistors ir jaudas plūsma, lai veicinātu programmas dizains ir sarežģītāks, lai veicinātu specifikāciju izvēles grūti veicināt specifikāciju apdraudēs barošanas kopējo pārslēgšanas ātrumu.
2, kopējais barošanas avota pārslēgšanas ātrums
MOSFET, ko ietekmē temperatūra, ir mazs, barošanas avota pārslēgšanas izejas jauda var nodrošināt, ka vairāk nekā 150KHz; jaudas kristāla tranzistoram ir ļoti maz brīvas uzlādes uzglabāšanas laika, ierobežojot tā barošanas avota pārslēgšanas ātrumu, bet tā izejas jauda parasti nepārsniedz 50 kHz.
3 、Droša darba zona
Jauda MOSFET nav sekundāra pamata, un droša darba zona ir plaša; jaudas kristāla tranzistoram ir sekundāra pamatsituācija, kas ierobežo drošu darba zonu.
4 、 Elektrības vadītāja darba prasība darba spriegums
JaudaMOSFET pieder pie augstsprieguma tipa, vadītspējas darba prasība darba spriegums ir lielāks, ir pozitīvs temperatūras koeficients; jaudas kristāla tranzistors neatkarīgi no tā, cik daudz naudas ir izturīgs pret darba prasību darba spriegumu, elektriskā vadītāja darba prasība darba spriegums ir zemāks, un tam ir negatīvs temperatūras koeficients.
5, maksimālā jaudas plūsma
Power MOSFET komutācijas barošanas ķēdē barošanas ķēdes ķēdes barošanas ķēde kā barošanas slēdzis, ekspluatācijā un stabilā darbā vidū, maksimālā jaudas plūsma ir zemāka; un jaudas kristāla tranzistors darbojas un stabils darbs vidū, maksimālā jaudas plūsma ir lielāka.
6 、 Produkta izmaksas
MOSFET jaudas izmaksas ir nedaudz augstākas; jaudas kristāla triodes izmaksas ir nedaudz zemākas.
7. Iespiešanās efekts
Power MOSFET nav iespiešanās efekta; jaudas kristāla tranzistoram ir iespiešanās efekts.
8. Pārslēgšanas zudums
MOSFET pārslēgšanas zudums nav liels; jaudas kristāla tranzistora komutācijas zudumi ir salīdzinoši lieli.
Turklāt lielākā daļa no jaudas MOSFET integrētās triecienu absorbējošās diodes, savukārt bipolārā jaudas kristāla tranzistorā gandrīz nav integrēta triecienu absorbējošā diode. MOSFET triecienu absorbējošā diode var būt arī universāls magnēts strāvas padeves ķēžu pārslēgšanai magnētu spoles, lai sniegtu jaudas koeficienta leņķi. jaudas plūsmas drošības kanālam. Lauka efekta caurule amortizējošā diode visā izslēgšanas procesā ar vispārējo diode kā reversās atkopšanas strāvas plūsmas esamību, šajā laikā diode no vienas puses, lai uzņemtu aizplūšanu - avota pola pozitīvs vidū būtisku no otras puses, darba sprieguma pieaugums un reversās atkopšanas strāvas plūsma.
Ievietošanas laiks: 2024. gada 29. maijs
