MOSFET (metāla-oksīda-pusvadītāju lauka efekta tranzistors) bieži tiek uzskatīts par pilnībā kontrolētām ierīcēm. Tas ir tāpēc, ka MOSFET darbības stāvokli (ieslēgtu vai izslēgtu) pilnībā kontrolē aizslēga spriegums (Vgs) un tas nav atkarīgs no bāzes strāvas, kā tas ir bipolārā tranzistora (BJT) gadījumā.
MOSFET sistēmā vārtu spriegums Vgs nosaka, vai starp avotu un noteci ir izveidots vadošs kanāls, kā arī vadošā kanāla platumu un vadītspēju. Kad Vgs pārsniedz sliekšņa spriegumu Vt, tiek izveidots vadošais kanāls un MOSFET nonāk ieslēgtā stāvoklī; kad Vgs nokrītas zem Vt, vadošais kanāls pazūd un MOSFET atrodas atslēgtā stāvoklī. Šī vadība tiek pilnībā kontrolēta, jo vārtu spriegums var neatkarīgi un precīzi kontrolēt MOSFET darbības stāvokli, nepaļaujoties uz citiem strāvas vai sprieguma parametriem.
Turpretim pusvadāmo ierīču (piem., tiristoru) darbības stāvokli ietekmē ne tikai vadības spriegums vai strāva, bet arī citi faktori (piemēram, anoda spriegums, strāva utt.). Rezultātā pilnībā kontrolētas ierīces (piemēram, MOSFET) parasti nodrošina labāku veiktspēju vadības precizitātes un elastības ziņā.
Rezumējot, MOSFET ir pilnībā kontrolētas ierīces, kuru darbības stāvokli pilnībā kontrolē vārtu spriegums, un tām ir augsta precizitāte, augsta elastība un zems enerģijas patēriņš.
Izlikšanas laiks: 20. septembris 2024
