Mūsdienu MOS draiveriem ir vairākas ārkārtas prasības:
1. Zemsprieguma pielietojums
Kad piemēro 5V komutācijasbarošanas avots, šajā laikā, ja tiek izmantota tradicionālā totēma staba struktūra, jo triode ir tikai 0.7V uz augšu un uz leju zudums, kā rezultātā konkrēta gala slodze uz spriegumu ir tikai 4.3V, šobrīd tiek izmantots pieļaujamais vārtu spriegums no 4,5 VMOSFET pastāv zināma riska pakāpe.Tāda pati situācija rodas arī pielietojot 3V vai citu zemsprieguma komutācijas barošanas avotu.
2.Plašs sprieguma pielietojums
Atslēgas spriegumam nav skaitliskas vērtības, tas mainās ik pa laikam vai citu faktoru ietekmē. Šīs izmaiņas izraisa piedziņas spriegumu, ko PWM ķēde dod MOSFET, nestabilu.
Lai labāk nodrošinātu MOSFET pie augsta vārtu sprieguma, daudzos MOSFET ir iegulti sprieguma regulatori, lai piespiestu ierobežot vārtu sprieguma lielumu. Šajā gadījumā, kad piedziņas spriegums pārsniedz regulatora spriegumu, tiek radīts liels statisks funkcijas zudums.
Tajā pašā laikā, ja tiek izmantots rezistoru sprieguma dalītāja pamatprincips, lai samazinātu aizslēga spriegumu, notiks tā, ka, ja atslēgas spriegums ir augstāks, MOSFET darbojas labi, un, ja atslēgas spriegums tiek samazināts, vārtu spriegums nav pietiekami, kā rezultātā nepietiekama ieslēgšana un izslēgšana, kas palielinās funkcionālos zaudējumus.
3. Divu sprieguma lietojumi
Dažās vadības ķēdēs ķēdes loģiskā daļa izmanto tipisko 5 V vai 3,3 V datu spriegumu, savukārt izejas jaudas daļa izmanto 12 V vai vairāk, un abi spriegumi ir savienoti ar kopējo zemējumu.
Tas skaidri parāda, ka ir jāizmanto barošanas ķēde, lai zemsprieguma puse varētu saprātīgi manipulēt ar augstsprieguma MOSFET, savukārt augstsprieguma MOSFET spēs tikt galā ar tām pašām grūtībām, kas minētas 1. un 2. punktā.
Šajos trīs gadījumos totēma staba konstrukcija nevar atbilst izvades prasībām, un šķiet, ka daudzās esošajās MOS draivera IC neietver vārtu spriegumu ierobežojošu konstrukciju.
Izsūtīšanas laiks: 2024. gada 24. jūlijs
