Kādi ir invertora MOSFET apkures cēloņi?

Invertora MOSFET darbojas pārslēgšanas stāvoklī, un strāva, kas plūst caur MOSFET, ir ļoti augsta. Ja MOSFET nav pareizi izvēlēts, piedziņas sprieguma amplitūda nav pietiekami liela vai ķēdes siltuma izkliede nav laba, tas var izraisīt MOSFET uzkaršanu.

 

1, invertora MOSFET apkure ir nopietna, jāpievērš uzmanībaMOSFETatlase

MOSFET invertora pārslēgšanas stāvoklī parasti prasa pēc iespējas lielāku drenāžas strāvu, pēc iespējas mazāku ieslēgšanas pretestību, lai jūs varētu samazināt MOSFET piesātinājuma sprieguma kritumu, tādējādi samazinot MOSFET kopš patēriņa, samazinot karstums.

Pārbaudiet MOSFET rokasgrāmatu, mēs atklāsim, ka jo augstāka ir MOSFET izturības sprieguma vērtība, jo lielāka ir tā ieslēgšanas pretestība, un tiem, kuriem ir augsta aizplūdes strāva un zema MOSFET izturības sprieguma vērtība, tā ieslēgšanas pretestība parasti ir mazāka par desmitiem miliomi.

Pieņemot, ka slodzes strāva ir 5A, mēs izvēlamies parasti izmantoto invertoru MOSFETRU75N08R un iztur sprieguma vērtību 500V 840 var būt, to drenāžas strāva ir 5A vai lielāka, bet abu MOSFET ieslēgšanas pretestība ir atšķirīga, piedzen vienādu strāvu. , to siltuma starpība ir ļoti liela. 75N08R ieslēgšanas pretestība ir tikai 0,008 Ω, savukārt 840 ieslēgšanas pretestība 75N08R ieslēgšanas pretestība ir tikai 0,008 Ω, savukārt 840 ieslēgšanas pretestība ir 0,85 Ω. Ja slodzes strāva, kas plūst caur MOSFET, ir 5A, 75N08R MOSFET sprieguma kritums ir tikai 0,04 V, un MOSFET MOSFET patēriņš ir tikai 0,2 W, savukārt 840 MOSFET sprieguma kritums var būt līdz 4,25 W un patēriņš. MOSFET jauda ir 21,25 W. No tā var redzēt, ka MOSFET ieslēgšanas pretestība atšķiras no 75N08R ieslēgšanas pretestības, un to siltuma ražošana ir ļoti atšķirīga. Jo mazāka ir MOSFET ieslēgšanas pretestība, jo labāka ir MOSFET ieslēgšanas pretestība, MOSFET caurule ar lielu strāvas patēriņu ir diezgan liela.

 

2, braukšanas sprieguma amplitūdas piedziņas ķēde nav pietiekami liela

MOSFET ir sprieguma kontroles ierīce, ja vēlaties samazināt MOSFET caurules patēriņu, samazināt siltumu, MOSFET vārtu piedziņas sprieguma amplitūdai jābūt pietiekami lielai, piedziņas impulsa malai jābūt stāvai, var samazinātMOSFETcaurules sprieguma kritums, samaziniet MOSFET caurules patēriņu.

 

3, MOSFET siltuma izkliede nav labs iemesls

Invertora MOSFET apkure ir nopietna. Tā kā invertora MOSFET caurules patēriņš ir liels, darbam parasti ir nepieciešams pietiekami liels siltuma izlietnes ārējais laukums, un ārējai siltuma izlietnei un pašai MOSFET starp siltuma izlietni jābūt ciešā saskarē (parasti jāpārklāj ar siltumvadošu materiālu silikona smērviela), ja ārējā siltuma izlietne ir mazāka vai arī pati MOSFET nav pietiekami tuvu siltuma izlietnes kontaktam, var izraisīt MOSFET sildīšanu.

Invertora MOSFET apkures nopietna ir četri iemesli kopsavilkumam.

MOSFET neliela uzkarsēšana ir normāla parādība, taču uzkarsēšana ir nopietna un pat var izraisīt MOSFET sadedzināšanu, ir šādi četri iemesli:

 

1, ķēdes projektēšanas problēma

Ļaujiet MOSFET darboties lineārā darba stāvoklī, nevis komutācijas ķēdes stāvoklī. Tas ir arī viens no MOSFET apkures cēloņiem. Ja N-MOS veic pārslēgšanu, G līmeņa spriegumam ir jābūt par dažiem V augstākam nekā barošanas avotam, lai tas būtu pilnībā ieslēgts, savukārt P-MOS ir pretējs. Nav pilnībā atvērts un sprieguma kritums ir pārāk liels, kā rezultātā rodas enerģijas patēriņš, līdzstrāvas pretestība ir lielāka, sprieguma kritums palielinās, tāpēc palielinās arī U * I, zudumi nozīmē siltumu. Šī ir visvairāk novērstā kļūda ķēdes projektēšanā.

 

2, pārāk augsta frekvence

Galvenais iemesls ir tas, ka dažreiz pārmērīga tiekšanās pēc apjoma, kā rezultātā palielinās biežums,MOSFETzudumi uz lielajiem, tāpēc arī siltums tiek palielināts.

 

3, nepietiek siltuma dizaina

Ja strāva ir pārāk augsta, MOSFET nominālās strāvas vērtībai parasti ir nepieciešama laba siltuma izkliede. Tātad ID ir mazāks par maksimālo strāvu, tas var arī slikti uzkarst, ir nepieciešams pietiekami daudz papildu siltuma izlietnes.

 

4, MOSFET izvēle ir nepareiza

Nepareizs jaudas spriedums, MOSFET iekšējā pretestība netiek pilnībā ņemta vērā, kā rezultātā palielinās komutācijas pretestība.