Četri N-kanālu uzlabošanas MOSFET reģioni
(1) Mainīgas pretestības reģions (saukts arī par nepiesātināto reģionu)
Ucs" Ucs (th) (ieslēgšanas spriegums), uDs" UGs-Ucs (th) ir apgabals pa kreisi no iepriekš iezīmētās trases attēlā, kurā kanāls ir ieslēgts. UD vērtība šajā reģionā ir maza, un kanālu pretestību pamatā kontrolē tikai UG. Ja uGs ir noteikti, ip un uDs ir lineārās attiecībās, apgabals tiek tuvināts kā taisnu līniju kopa. Šajā laikā lauka efekta caurule D, S starp ekvivalentu sprieguma UGS
Kontrolē ar sprieguma UGS mainīgo pretestību.
(2) pastāvīgas strāvas reģions (pazīstams arī kā piesātinājuma reģions, pastiprināšanas reģions, aktīvais reģions)
Ucs ≥ Ucs (h) un Ubs ≥ UcsUssth), priekšizspiediena labās puses skaitlim, bet vēl nav sadalīts reģionā, reģionā, kad UG jābūt, ib gandrīz nav izmaiņas ar UD, ir pastāvīgas strāvas raksturlielumi. i kontrolē tikai UG, tad MOSFETD, S ir līdzvērtīgs strāvas avota sprieguma uGs kontrolei. MOSFET tiek izmantots pastiprināšanas shēmās, parasti MOSFET darbībā D, S ir līdzvērtīgs sprieguma uGs vadības strāvas avotam. MOSFET, ko izmanto pastiprināšanas shēmās, parasti darbojas reģionā, kas pazīstams arī kā pastiprināšanas apgabals.
(3) Nogriešanas laukums (saukts arī par nogriešanas laukumu)
Nogriešanas laukums (pazīstams arī kā nogriešanas laukums), lai atbilstu ucs "Ues (th) skaitlim netālu no reģiona horizontālās ass, viss kanāls ir nofiksēts, kas pazīstams kā pilns nogriešanas laukums, io = 0 , caurule nedarbojas.
(4) sadalījuma zonas atrašanās vieta
Sadalījuma apgabals atrodas apgabalā attēla labajā pusē. Pieaugot UD, PN pāreja tiek pakļauta pārāk lielam reversajam spriegumam un pārrāvumam, ip strauji palielinās. Caurule ir jādarbina tā, lai izvairītos no darbības bojājumu zonā. Pārneses raksturlīkni var iegūt no izejas raksturlīknes. Par metodi, ko izmanto kā grafiku, lai atrastu. Piemēram, 3. (a) attēlā Ubs = 6V vertikālajai līnijai, tās krustojums ar dažādām līknēm, kas atbilst i, Us vērtībām ib-Uss koordinātēs, kas savienotas ar līkni, tas ir, lai iegūtu pārneses raksturlīkni.
Parametri noMOSFET
MOSFET ir daudz parametru, tostarp līdzstrāvas parametri, maiņstrāvas parametri un ierobežojuma parametri, taču parastajā lietošanā ir jāņem vērā tikai šādi galvenie parametri: piesātinātā drenāžas avota strāva IDSS izspiešanas spriegums uz augšu, (savienojuma tipa caurules un izsīkums -tipa izolētas aizbīdņa caurules vai ieslēgšanas spriegums UT (pastiprinātas izolētas vārtu caurules), transvadītspēja gm, noplūdes avota pārrāvuma spriegums BUDS, maksimālā izkliedētā jauda PDSM un maksimālā drenāžas avota strāva IDSM .
(1) Piesātināta drenāžas strāva
Piesātinātā drenāžas strāva IDSS ir drenāžas strāva krustojuma vai izsīkuma tipa izolētā aizbīdņa MOSFET, ja aizslēga spriegums UGS = 0.
(2) Nogriešanas spriegums
Izspiešanas spriegums UP ir aizbīdņa spriegums savienojuma tipa vai izsīkuma tipa izolēto aizvaru MOSFET, kas vienkārši nogriežas starp noteci un avotu. Kā parādīts 4-25 N-kanālu caurules UGS ID līkni var saprast, lai redzētu IDSS un UP nozīmi.
MOSFET četri reģioni
(3) Ieslēgšanas spriegums
Ieslēgšanas spriegums UT ir vārtu spriegums pastiprinātā izolētā MOSFET, kas padara starpnotekas avotu vienkārši vadošu.
(4) Transvadītspēja
Transvadītspēja gm ir aizslēga avota sprieguma UGS vadības spēja uz drenāžas strāvas ID, ti, noteces strāvas ID izmaiņu attiecība pret aizslēga avota sprieguma UGS izmaiņām. 9 m ir svarīgs parametrs, kas sver pastiprināšanas spējuMOSFET.
(5) Drenāžas avota pārrāvuma spriegums
Drenāžas avota sadalījuma spriegums BUDS attiecas uz vārtu avota spriegumu UGS noteikti, MOSFET normāla darbība var pieņemt maksimālo drenāžas avota spriegumu. Šis ir ierobežojošais parametrs, kas pievienots MOSFET darba spriegumam, kas ir mazāks par BUDS.
(6) Maksimālā jaudas izkliede
Maksimālā jaudas izkliede PDSM ir arī ierobežojuma parametrs, kas attiecas uzMOSFETveiktspēja nepasliktinās, ja maksimālā pieļaujamā noplūdes avota jaudas izkliede. Lietojot MOSFET, praktiskajam enerģijas patēriņam jābūt mazākam par PDSM un jāatstāj noteikta rezerve.
(7) Maksimālā drenāžas strāva
Maksimālā noplūdes strāva IDSM ir vēl viens ierobežojuma parametrs, kas attiecas uz MOSFET normālu darbību, maksimālās strāvas noplūdes avots, kas atļauts iet caur MOSFET darba strāvu, nedrīkst pārsniegt IDSM.
MOSFET darbības princips
MOSFET (N-kanālu uzlabošanas MOSFET) darbības princips ir izmantot VGS, lai kontrolētu "induktīvā lādiņa" daudzumu, lai mainītu šo "induktīvo lādiņu" veidotā vadošā kanāla stāvokli un pēc tam sasniegtu mērķi. drenāžas strāvas kontrolei. Mērķis ir kontrolēt drenāžas strāvu. Cauruļu ražošanā, veicot lielu skaitu pozitīvu jonu izolācijas slānī, tāpēc saskarnes otrā pusē var izraisīt vairāk negatīvu lādiņu, šos negatīvos lādiņus var izraisīt.
Mainoties aizslēga spriegumam, mainās arī kanālā inducētā lādiņa apjoms, mainās arī vadošā kanāla platums, un līdz ar to drenāžas strāva ID mainās līdz ar aizslēga spriegumu.
MOSFET loma
I. MOSFET var pielietot pastiprināšanai. Tā kā MOSFET pastiprinātājam ir liela ieejas pretestība, savienojuma kondensatoram var būt mazāka jauda, neizmantojot elektrolītiskos kondensatorus.
Otrkārt, MOSFET augstā ieejas pretestība ir ļoti piemērota pretestības pārveidošanai. Parasti izmanto daudzpakāpju pastiprinātāja ievades stadijā pretestības pārveidošanai.
MOSFET var izmantot kā mainīgu rezistoru.
Ceturtkārt, MOSFET var viegli izmantot kā pastāvīgu strāvas avotu.
Piektkārt, MOSFET var izmantot kā elektronisku slēdzi.
Publicēšanas laiks: 12.04.2024
