Izolētā slāņa vārtu MOSFET atpazīšana

Izolācijas slāņa vārtu MOSFET aizstājvārdsMOSFET (turpmāk tekstā MOSFET), kam ir silīcija dioksīda kabeļa apvalks vārtu sprieguma un avota notekas vidū.

MOSFET arī irN-kanāls un P-kanāls ir divas kategorijas, taču katra kategorija ir sadalīta otrajā pastiprināšanas un gaismas samazināšanās tipā, tādējādi kopumā ir četri veidi:N-kanālu uzlabošana, P-kanāla uzlabošana, N-kanāla gaismas samazināšanās, P-kanāla gaismas samazināšanās veids. Bet, ja vārtu avota spriegums ir nulle, kanalizācijas strāva arī ir nulle no caurules ir uzlabota caurule. Tomēr, ja vārtu avota spriegums ir nulle, drenāžas strāva nav nulle, tiek klasificētas kā gaismu patērējošas caurules.
Uzlabots MOSFET princips:

Strādājot vārtu avota vidū, spriegums netiek izmantots, drenāžas avota PN krustojuma vidus ir pretējā virzienā, tāpēc nebūs vadoša kanāla, pat ja drenāžas avota vidus ar spriegumu, vadoša tranšejas elektrība ir slēgta, nav iespējams būt darba strāva saskaņā ar. Kad vārtu avota vidus plus pozitīvā virziena spriegums līdz noteiktai vērtībai, drenāžas avota vidū tiks izveidots vadošs drošības kanāls, tāpēc vadošo tranšeju, ko tikko rada šis vārtu avota spriegums, sauc par atvērto spriegumu VGS, jo lielāks ir vārtu avota sprieguma vidus, vadošā tranšeja ir platāka, kas savukārt padara cauri lielāku elektrības plūsmu.

Gaismas izkliedējošā MOSFET princips:

Darbībā aizbīdņa avota vidū netiek izmantots spriegums, atšķirībā no pastiprinājuma tipa MOSFET, un drenāžas avota vidū ir vadošs kanāls, tāpēc drenāžas avota vidum tiek pievienots tikai pozitīvs spriegums, kas rada drenāžas strāvas plūsmu. Turklāt vārtu avots sprieguma pozitīvā virziena vidū, vadošā kanāla paplašināšanās, pievienojot pretējo sprieguma virzienu, vadošais kanāls sarūk, caur elektroenerģijas plūsmu būs mazāks, uzlabojot MOSFET salīdzinājumu, tas var būt arī pozitīvā un negatīvā skaitā noteiktu skaitu reģionu vadošajā kanālā.

MOSFET efektivitāte:

Pirmkārt, MOSFET tiek izmantoti, lai palielinātu. Tā kā MOSFET pastiprinātāja ieejas pretestība ir ļoti augsta, filtra kondensators var būt mazāks, bez nepieciešamības izmantot elektrolītiskos kondensatorus.

Otrkārt, MOSFET ļoti augsta ieejas pretestība ir īpaši piemērota raksturīgās pretestības pārveidošanai. Parasti izmanto daudzlīmeņu pastiprinātāja ievades stadijā raksturīgās pretestības pārveidošanai.

MOSFET var izmantot kā regulējamu rezistoru.

Ceturtkārt, MOSFET var būt ērts kā līdzstrāvas barošanas avots.

V. MOSFET var izmantot kā komutācijas elementu.